Полупроводниковый элемент под названием молибденит (MoS2), как заявляют швейцарские ученые в области электроники, значительно лучше кремния в качестве полупроводника. При использовании новый уникальный материал существенно снизит энергопотребление транзисторов и других полупроводниковых радиоэлементов и в дальнейшем позволит использовать более тонкие нормы техпроцесса.
По данным исследований лаборатории Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), полупроводник молибденит имеет ширину запрещенной зоны, которая как раз характерна для различных известных современных полупроводников, и это его высокое качество ставит молибденит выше даже чем революционный графен. Последний на данный момент уже давно претендует на роль основы интегральных схем будущего и подает на это большие надежды. Но молибденит пока ближе, поскольку его свойства значительно лучше, чем у графена.
Одним из важных достоинств молибденита стала его популярность, его широкое распространение и повсеместное использование в современных отраслях промышленности. На сегодняшний день его активно используют в производстве различных сплавов и стали и даже добавляют в некоторые смазочные материалы. Однако в качестве полупроводника на молибденит посмотрели впервые. Молибденит значительно превосходит кремний из-за своей двумерной структуры, в то время как последний образует так называемые объемные кристаллы.