Samsung выпустит сверхскоростной твердотельный накопитель нового поколения

Компания Samsung недавно приступила к массовому серийному производству нового твердотельного накопителя SATA, емкостью 250 ГБ, созданного на основе 256-гигабитных V-NAND модулей шестого поколения и состоящего из более чем 100 слоев трехбитных ячеек. Конструкторы уверяют, что им удалось добиться примерно 20-процентного повышения производительности своих новых SSD.

В твердотельных накопителях нового поколения Samsung использует уникальную технологию так называемого “сквозного травления кристаллов”, добавляющая на 40% больше ячеек к предыдущей, однослойной структуре. Это достигается при помощи создания электропроводящей пресс-формы, которая состоит из 136 слоев.

Высокие стеки пресс-форм зачастую делают чипы NAND гораздо более уязвимыми к ошибкам и задержкам чтения и записи данных, но Samsung разработала схему оптимизации производительности, чтобы иметь возможность обойти данное ограничение. Скорость передачи теперь составляет менее, чем 450 микросекунд (мкс) для операций записи и менее 45 мкс для операций чтения, что, по сравнению с предыдущим поколением, на 10% быстрее и при этом потребляет примерно на 15% меньше энергии.

Если компания Samsung сможет приступить к массовому выпуску 300-слойной 3D NAND уже в следующем году, то это будет очень серьезным ударом по конкурентам и активно зарождающейся в Китае индустрии по выпуску новой флэш-памяти, которая за последние пол года и так уже сильно упала в цене.